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光盘编号：872690 《应半导体专题资料光盘》包括专利技术全文资料580份。整套光盘收费380元，全国范围内可免费货到付款。请选择订购方式：
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技术编号 技术名称
(872690-0580) 应用于光电半导体制程的半自动快速升降温设备
(872690-0579) 应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备
(872690-0578) 应用于光电半导体制程的快速升降温设备
(872690-0577) 一种基于半导体热电效应的蓄电池热管理装置
(872690-0576) 一种应用于半导体器件生产的新型金属线焊接打火电极
(872690-0575) 一种半导体制冷装置及其应用
(872690-0574) 半导体致冷器件及其应用的车船用半导体空调
(872690-0573) 半导体开关保护装置及应用该装置的麻将机电脑控制器
(872690-0572) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0571) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0570) 一种应用光纤耦合的半导体激光器的外腔相干锁相装置
(872690-0569) 带损伤应力环的半导体硅切片
(872690-0568) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0567) 一体化半导体照明消防应急灯
(872690-0566) 半导体反应室元件固定装置
(872690-0565) 半导体节能高效自动应急灯
(872690-0564) 具有隔离结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0563) 半导体热电效应教学演示仪
(872690-0562) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0561) 应变沟道半导体结构
(872690-0560) 应用大功率半导体器件的功率单元
(872690-0559) 具应变通道的互补式金氧半导体
(872690-0558) 基于P沟道金属氧化物半导体场效应管的短路保护电路
(872690-0557) 应变半导体覆绝缘层型基底
(872690-0556) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0555) 应用于半导体刻蚀清洗设备的全塑料高速机械手
(872690-0554) 沟槽栅金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
(872690-0553) 应用于半导体存储器的灵敏放大器电路及其工作方法
(872690-0552) 一种具应力区的金属氧化半导体结构
(872690-0551) 一种具应力区的半导体结构
(872690-0550) 用于半导体结构的电连接结构、其制造方法及其在发光单元中的应用
(872690-0549) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0548) 用于蚀刻半导体结构的具有脉冲反应气体补充的脉冲等离子体系统
(872690-0547) 包括具有用于产生拉伸及压缩应变的嵌入SI GE材料的NMOS及PMOS晶体管的半导体器件
(872690-0546) 制造微电子装置的方法及应用此方法的半导体装置
(872690-0545) 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备
(872690-0544) 基于硅 锗的纳米颗粒油墨、掺杂型颗粒、用于半导体应用的印刷和方法
(872690-0543) 场效应晶体管及其制造方法和半导体装置
(872690-0542) 静电夹持装置及应用该静电夹持装置的半导体处理设备
(872690-0541) 复合式过压保护器及其在半导体变流设备中的应用
(872690-0540) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0539) 一种基于金属 反铁电薄膜 金属氧化物 半导体场效应管结构的存储器单元
(872690-0538) 具有应力膜的互补金属氧化物半导体器件及其制造方法
(872690-0537) 金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(872690-0536) 金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法及其器件
(872690-0535) 应变金属氧化物半导体器件的制造方法
(872690-0534) 有机半导体复合材料、有机晶体管材料以及有机场效应晶体管
(872690-0533) 应用高电压轻掺杂漏极的互补金属氧化物半导体技术的静电释放保护
(872690-0532) 检测半导体器件热载流子效应的方法
(872690-0531) 形成包括具有受应力的信道区的场效晶体管的半导体结构的方法
(872690-0530) 半导体装置、场效应晶体管及其栅极的制造方法
(872690-0529) 短沟槽横向金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0528) 包括引发不同类型应变的隔离沟槽的半导体器件
(872690-0527) 具有凹陷场板的功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0526) 半导体封装构造、应用于半导体封装构造的导线架及导电件
(872690-0525) 感应加热线圈和熔化由半导体材料构成的颗粒的方法
(872690-0524) 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备
(872690-0523) LED半导体主体以及LED半导体主体的应用
(872690-0522) 对可见光响应的含钼半导体光催化材料及其制备方法和用途
(872690-0521) 增强型碳化硅金属半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0520) 集成有感应晶体管的分立功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0519) 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备
(872690-0518) 半导体供应链体系的无线射频识别实时共通信息系统
(872690-0517) 芳基-乙烯取代的芳族化合物及其作为有机半导体的应用
(872690-0516) 金属-半导体场效应晶体管及其制作方法
(872690-0515) 场效应晶体管、半导体器件和半导体晶体生长方法
(872690-0514) 半导体处理用的反应管和热处理装置
(872690-0513) 发光二极管半导体本体和发光二极管半导体本体的应用
(872690-0512) 在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法
(872690-0511) 半导体元件金属化方法及其应用
(872690-0510) 具有直接沟槽多晶硅接触的横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法
(872690-0509) 半导体致冷器件及其应用的车船用半导体空调
(872690-0508) LED半导体及LED半导体的应用
(872690-0507) 用于功率金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路的递减电压多晶硅二极管静电放电电路
(872690-0506) 一种用于半导体加工反应腔室的密封结构
(872690-0505) 使用简化双应力衬层配置的具有增强性能的半导体结构
(872690-0504) 减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管
(872690-0503) 减少热载流子效应的P型横向双扩散金属氧化物半导体管
(872690-0502) 应用数据遮蔽的半导体设备及使用其的数据输出方法
(872690-0501) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法
(872690-0500) 一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备
(872690-0499) 场效应晶体管及半导体器件
(872690-0498) 多通道堆叠半导体装置及其制法与应用之堆叠基板
(872690-0497) 氮杂芴类有机半导体材料及制备和应用方法
(872690-0496) 平面分离栅极高性能金属氧化物半导体场效应晶体管结构及制造方法
(872690-0495) 一种晶片夹持系统及应用该夹持系统的半导体处理设备
(872690-0494) 用于半导体器件应用的免清洗低残留焊锡膏
(872690-0493) 一种基于半导体光放大器偏振旋转效应的电光采样方法
(872690-0492) 一种基于半导体层的电荷感应成像方法
(872690-0491) 用于减少微负载效应的半导体装置
(872690-0490) 低功率应用的半导体器件及其制造方法
(872690-0489) 用于制造功率半导体器件的工艺和相应功率半导体器件
(872690-0488) 半导体芯片、应答机以及制造应答机的方法
(872690-0487) 半导体结构中应变和活化的掺杂剂的光-反射特性刻画方法
(872690-0486) AlN GaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其制作方法
(872690-0485) 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备
(872690-0484) 半导体场效应晶体管、存储器单元和存储器设备
(872690-0483) 用于制造半导体功率器件的工艺及相应器件
(872690-0482) 金属氧化物半导体场效应晶体管结构
(872690-0481) 一种控制半导体设备反应室温度的装置和方法
(872690-0480) 气体分配系统和应用该气体分配系统的半导体处理设备
(872690-0479) 使用Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体及高介电常数栅极电介质的掩埋沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0478) 金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0477) 双应力膜互补金属氧化物半导体晶体管的制造方法
(872690-0476) 一种聚焦环、包括该聚焦环的半导体设备及其应用
(872690-0475) 基于半导体制冷技术和电磁感应涡流原理的恒温液压油箱
(872690-0474) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化
(872690-0473) GAN纳米线的脉冲式生长及在族Ⅲ氮化物半导体衬底材料中的应用和器件
(872690-0472) 半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管
(872690-0471) 等离子体约束装置及应用该约束装置的半导体处理设备
(872690-0470) 集成源 漏应激体和层间电介质层应激体的半导体工艺
(872690-0469) 用于半导体应用的选择性去除化学品，其制备方法及用途
(872690-0468) 固态半导体储存装置及其应用系统与控制组件
(872690-0467) 一种喷嘴装置及应用该喷嘴装置的半导体处理设备
(872690-0466) 高迁移率沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0465) 汽车座椅温度调整装置及半导体制冷技术的应用
(872690-0464) 低栅极感生的漏极泄漏的金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制备方法
(872690-0463) 半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0462) 场效应晶体管、半导体芯片及半导体装置
(872690-0461) LUS半导体与应用电路
(872690-0460) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其键合方法
(872690-0459) 用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管记忆胞
(872690-0458) 沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0457) 硅三重扩散衬底制造金属-氧化物-半导体场效应晶体管的方法
(872690-0456) 一种用于制备氮化物半导体衬底的HVPE反应器
(872690-0455) 高、低压侧N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管组合封装
(872690-0454) 具有STI区的非对称场效应半导体器件
(872690-0453) 保护栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管组件及其制造方法
(872690-0452) 具有应力器的半导体器件及其形成方法
(872690-0451) 一种半导体储存器的灵敏放大器电路及其工作方法与应用
(872690-0450) 含前侧应变超晶格层和背侧应力层的半导体器件和方法
(872690-0449) 半导体部件的应力缓冲封装
(872690-0448) 半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法
(872690-0447) 半导体器件的耐热应力评估方法以及半导体晶圆
(872690-0446) 半导体装置、其制造方法及应用该半导体装置的显示装置
(872690-0445) 应变沟道半导体结构的制造方法
(872690-0444) 自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统
(872690-0443) LED半导体本体和LED半导体本体的应用
(872690-0442) 开窗型球栅阵列半导体封装件及其应用的网板结构
(872690-0441) 金氧半导体场效应电晶体及源 漏极区中降低损坏的方法
(872690-0440) 降低存储器元件的第二位效应的半导体结构以及方法
(872690-0439) 高迁移率功率金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0438) 互补金属氧化物半导体器件应力层的形成方法
(872690-0437) GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
(872690-0436) 一种半导体组件及金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0435) 包含超晶格区的场效应半导体器件
(872690-0434) 宽能带隙半导体横向沟槽场效应晶体管及制造方法
(872690-0433) 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
(872690-0432) 具有多个鳍式场效应晶体管的半导体结构
(872690-0431) 半导体中介片及其在电子封装上的应用
(872690-0430) 铌酸锂 Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
(872690-0429) 半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用
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(872690-0427) 在半导体 电介质界面处具有晶体区域的非晶氧化物场效应晶体管
(872690-0426) 对可见光响应的含钨半导体光催化材料的制备方法
(872690-0425) 藉由使用包含具有高共价半径的原子的嵌入半导体层的用于硅基晶体管中工程应变的技术
(872690-0424) 电子、光、磁、半导体和生物技术应用中作为支架的多功能生物材料
(872690-0423) 一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
(872690-0422) 大功率金属半导体场效应发光晶体管
(872690-0421) 半导体封装件的制法及其所应用的散热结构
(872690-0420) 包括应变超晶格和上覆应力层的半导体器件以及相关方法
(872690-0419) 半导体装置及其应用
(872690-0418) 一种低噪声的内置场效应管的半导体核辐射探测器
(872690-0417) 一种半导体器件及其提供的低压电源的应用
(872690-0416) 同时降解乙烯与杀菌的半导体光电催化复合电极及制备方法和应用
(872690-0415) 金属氧化物半导体场效应晶体管阈值电压的测试方法
(872690-0414) 有机半导体材料和有机场效应晶体管
(872690-0413) 应变硅互补型金属氧化物半导体晶体管的制作方法
(872690-0412) 包括含铟和锌的氧化物半导体材料的沟道的场效应晶体管
(872690-0411) 互补性金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
(872690-0410) 至少一对间隔的应力区之间包括应变超晶格的半导体器件以及相关方法
(872690-0409) 具有多漏结构的半导体功率器件及其相应的制造工艺
(872690-0408) 半导体元件及其制造方法以及提高膜层应力的方法
(872690-0407) 制作应变硅互补金属氧化物半导体晶体管的方法
(872690-0406) 高密度沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的栅极接触与导路
(872690-0405) 无线感应充电式多功能半导体照明器
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(872690-0403) 信号感测电路及其应用的半导体记忆装置
(872690-0402) 有机场效应晶体管及包含其的半导体装置
(872690-0401) 用于在半导体工艺中检测电荷效应的测试结构与方法
(872690-0400) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
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(872690-0398) 一种具低热载子效应的半导体结构
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(872690-0332) 欧姆电极及制造方法、场效应晶体管及制造方法与半导体装置
(872690-0331) 一种应用光纤耦合的半导体激光器的外腔相干锁相方法
(872690-0330) 包括叠层芯片的半导体器件生产方法及对应的半导体器件
(872690-0329) 半导体结构的制造方法及相应的半导体结构
(872690-0328) 消除半导体硅晶片表面应力的方法
(872690-0327) 包括半导体纳米管的垂直场效应晶体管
(872690-0326) 制造半导体结构的方法及对应的半导体结构
(872690-0325) 集成半导体结构的制造方法及相应的集成半导体结构
(872690-0324) 具有低热膨胀系数基材的半导体元件及其应用
(872690-0323) 基于过芳基化硼烷的发磷光的聚合有机半导体发射极材料,其制备的方法及其应用
(872690-0322) 单栅电极对应一对沟道区的半导体器件和随机存取存储器
(872690-0321) 图形形成方法和应用该方法的半导体器件的制造方法
(872690-0320) 用于半导体反应器的排气调节系统
(872690-0319) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0318) 一种金属氧化物半导体场效应管制造工艺
(872690-0317) 应变半导体衬底及其制法
(872690-0316) 制造绝缘体上应变半导体衬底的方法
(872690-0315) 电压供应电路和半导体存储器
(872690-0314) 应变半导体器件
(872690-0313) 具有颗粒半导体材料的应力半导体器件结构
(872690-0312) 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
(872690-0311) 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法
(872690-0310) 控制功率半导体开关的具有故障识别的电路及相应方法
(872690-0309) 控制功率半导体开关的具有故障响应的电路及相应方法
(872690-0308) 降低半导体器件发热的散热方法、制造方法及相应半导体器件
(872690-0307) 半导体加工系统反应腔室
(872690-0306) 含有电路元件和绝缘膜的半导体模块及其制造方法以及其应用
(872690-0305) 半导体电路，显示器及其电子应用设备
(872690-0304) 一种光感应的半导体器件的电子封装及其制作和组装
(872690-0303) 场效应半导体器件中电容元件的动态控制
(872690-0302) 高性能应变互补金属氧化物半导体器件
(872690-0301) 用于制造场效应半导体器件的方法
(872690-0300) 一种用于半导体处理的反应室
资(872690-0299) 一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法
料(872690-0298) 半导体器件中的场效应晶体管及其制造方法
来(872690-0297) 半导体装置形成用晶片及其制造方法、以及场效应晶体管
源(872690-0296) 悬空硅层的金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
：(872690-0295) 半导体材料残余应力的测试装置及方法
深(872690-0294) 应变半导体CMOS晶体管的制造结构和方法
圳(872690-0293) 抗高温应力的应力绝缘体上半导体结构
市(872690-0292) 红外响应改进的多层半导体基体以及其上形成的图像传感器
万(872690-0291) 互补型金属氧化物半导体影像感应器
宁(872690-0290) 具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管
达(872690-0289) 菲 噻吩杂化高迁移率有机半导体及其应用
信(872690-0288) 具有集成的掺杂沟道的参数确定的半导体复合结构、用于其生产和应用的方法
息(872690-0287) 用于照相平版印刷的半导体纳米尺寸颗粒的应用
咨(872690-0286) 金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法
询(872690-0285) 非对称凹陷栅极金属氧化物半导体场效应晶体管及其制法
有(872690-0284) 具有区域化应力结构的金属氧化物半导体的场效晶体管
限(872690-0283) 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
公(872690-0282) 包括场效应晶体管的半导体装置
司(872690-0281) 能够补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物、以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法
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